瑞薩推出新款閘極驅動IC用於EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
前言：
新款閘極驅動IC可提供3.75kVrms隔離電壓以支援1200V功率元件
2023年1月25日--先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子（TSE：6723）今天宣布推出新款閘極驅動IC，以驅動IGBT（絕緣閘雙極性電晶體）和SiC（碳化矽）MOSFET等用於電動汽車（EV）逆變器高壓功率元件。
閘極驅動IC是EV逆變器的重要元件，在用於控制的MCU與功率放大的IGBT和SiC MOSFET之間提供介接。在低壓域中接收來自MCU的控制信號，並依據這些訊號快速開啟和關閉高壓域中的功率元件。為適用更高電壓的EV電池，RAJ2930004AGM內建3.75kVrms（kV均方根）隔離器，高於前一代產品中的2.5kVrms隔離器，可支援耐壓最高1200V。此外，新款驅動IC具有卓越的CMTI（共模瞬態耐受性）性能（150 V/ns或更高），可提供可靠的通訊和更好的耐受性，同時滿足逆變器系統所需的高電壓和快速開關切換速度。新產品在小型SOIC16封裝中提供了閘極驅動器的基本功能，使其成為高效能逆變器系統的最佳選擇。
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT或其他製造商的IGBT和SiC MOSFET一起使用。除了牽引逆變器外，閘極驅動IC亦非常適合使用在各種功率半導體的應用中，例如車用充電器和直流／直流轉換器。為幫助開發人員快速將產品推向市場，瑞薩提供xEV逆變器套件解決方案，將閘極驅動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合，並預計於2023年上半年發布整合了新閘極驅動IC的方案。
瑞薩車用類比應用特定業務部副總經理Akira Omichi表示：「瑞薩很高興推出第二代車用閘極驅動IC，具有高隔離電壓和卓越的CMTI性能。我們將持續為電動車推出可盡量減少功率耗損並滿足更高功能安全等級的解決方案，以滿足客戶系統的需求。」
RAJ2930004AGM閘極驅動IC的主要功能
隔離能力
● 隔離耐受電壓：3.75kVrms
● CMTI（共模瞬態耐受性）：150V/ns
閘極驅動能力
● 輸出峰值電流：10A
保護／故障檢測功能
● 整合主動式米勒鉗位（Miller Clamp）電路
● 軟關閉
● 過流保護（DESAT保護）
● 欠壓鎖定（UVLO）
● 故障反饋
工作溫度範圍：-40至125°C（Tj：最高150°C）
該產品透過實現高效能的逆變器來協助提升電動汽車的普及率，進而最大限度地減少對環境的影響。
供貨
RAJ2930004AGM閘極驅動IC現已可提供樣品，預計2024年第一季量產。有關新產品的更多資訊，請造訪： https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-management/motor-and-solenoid-drivers/raj2930004agm-gate-driver-hevev。
關於瑞薩電子
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