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HGST 研究團隊快閃記憶體高峰會展示全球最快的SSD讀取速度

本文作者:HGST       點擊: 2014-08-06 08:29
前言:
HGST 推出非揮發性記憶體元件的全新結構,提高 PCIe SSD讀取效能達每秒 300 萬 I/Os,存取時間 1.5 微秒(us),成為技術展示的目光焦點
2014年8月5日--HGST (昱科環球儲存股份有限公司,Western Digital集團(NASDAQ:WDC)旗下子公司),今日在加州聖荷西市 2014 快閃記憶體高峰會 (316 號展位) 預先展示固態硬碟 (SSD) 的全新結構,滿足相關應用需求,為明日的大量資料問題提供更快速的洞見。HGST 運用新研發的延遲優化介面協定,結合新一代非揮發性記憶體 (non-volatile memory,NVM) 元件,達成展示中前所未見的 SSD 效能。
 
此次展示的 SSD 運用高速 PCIe 介面,在佇列環境操作時,可達每秒 3 百萬 IOPS 隨機讀取,傳輸量 512 Bytes,非佇列環境下,隨機存取延遲僅 1.5 微秒(us),目前的 SSD 與 NAND 型快閃記憶體均難望其項背,如此表現大幅超越目前的快閃記憶體型 SSD,屬於全新等級的磁碟儲存裝置。
 
HGST 首席技術長史提夫¬坎貝爾 (Steve Campbell) 表示:「從這次展示的 PCM SSD,即可看出 HGST 引領發展快速的儲存裝置產業。這項技術經過多年的高階研發,能夠大幅提升企業應用的速度。我們整合了 HGST 低延遲介面協定與新一代的非揮發性記憶體,創造前所未有的優異效能,與客戶及企業夥伴攜手合作,為新的軟體與系統結構開創更多機會。」
 
新一代非揮發性記憶體的 SSD 應用
這一款 SSD 採用相變化記憶體 (Phase Change Memory,PCM) 元件,儲存容量高達 1 GB。PCM 是新一類的高密度非揮發性記憶體,讀取速度更快,遠勝 NAND 型快閃記憶體。
 
為了讓這項記憶體技術在伺服器系統與軟體應用上充分發揮效能,HGST 也開發了效能高超的新低延遲介面結構,將記憶體技術帶往新的里程碑。HGST 運用控制器專業,整合 45 奈米 1 Gb PCM 晶片,打造全長度、全高度的 PCIe Gen 2x4 SSD卡。
 
HGST 並與聖地牙哥加州大學研究人員合作,設計出全新的通訊協定,讓延遲縮短至將近 1 微秒。這套新的介面協定已在 2014 年 Usenix 檔案與儲存技術大會 (FAST) 中推出。
 
全新的儲存等級
HGST 研究部門儲存結構經理 Zvonimir Bandic 表示:「能夠達到 300 萬 IOPS 已經十分優異,但是在展示中最令人振奮的成就,是能夠將小型磁區隨機讀取的延遲時間縮小至接近 1 微秒,這是目前 NAND 型快閃記憶體、記憶體控制器與介面技術都還無法企及的境界。」
 
比起 NAND 快閃記憶體,新推出的 NVM 最大的優勢,就是資料讀取的延遲時間縮短了兩倍以上。要真正發揮這項優勢,必須有新的控制器與介面技術。目前最先進的 NVM 協定可用於 NAND 快閃記憶體,但剛問世的 NVM 技術為資料中心業界開創了全新的儲存等級,現有的 NVM 協定已顯不足。
 
HGST 的 PCM SSD 將於 2014 年 8 月 6 日至 2014 年 8 月 7 日,在加州聖塔克拉拉市聖塔克拉拉會議中心快閃記憶體高峰會的 HGST 316 號展位展出。
 
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關於 HGST(昱科環球儲存股份有限公司)
HGST 為 Western Digital集團旗下子公司 (NASDAQ 代號:WDC),從事研發創新、先進的硬碟、企業級固態硬碟、外部儲存解決方案與服務,用於儲存、保存及管理世界上最具價值的資料。HGST 提供智慧型儲存裝置,緊密整合軟硬體以發揮最大的解決方案效能,因應客戶快速變動的儲存需求。HGST 由硬碟的先鋒業者創立,為各種行業提供高價值的儲存產品,包括企業、雲端、資料中心、行動運算、消費性電子產品及個人儲存。HGST 創立於 2003 年,公司總部位於美國加州聖荷西。如需深入瞭解 HGST 企業級 HDD、SSD 以及 SW 解決方案,請參閱網站
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